历史已改写, 三星与中企达成半导体（合作, 全）球半导体格、局开始重塑

在特朗普对华发起最大规模限制措施之际，中方又一次创造了奇迹，中企的先进半导体技术实现出海，且合作方还是占据领先地位的韩国，美国的围堵失败了，历史已经被改写，。

日前，中国科技企业迎来了一个让人备受鼓舞的消息，中国存储芯片厂商长江存储实现了对韩国三星电子的技术专利许可。这是创造历史的一幕，在半导体领域，韩国是当之无愧的第一梯队，尤其是在存储芯片方面，韩国更是主导了DRAM和NAND闪存市场，光是三星电子和海力士这两家公司就占有超过60%的全球市场份额，占据着绝对的领先地位。

相比之下，中企长江存储算是“后起之秀”，这家企业2016年才成立，至今还不到十年，且入局的时候全球存储芯片市场已经成熟，要和美国的美光、韩国的三星、海力士等大企业拼专利技术、抢占市场份额，不亚于克服天堑。但就是在这样起步晚、条件差的基础上，长江存储还是完成了弯道超车的亮眼成绩。

据了解，三星从长江存储手上得到的是3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。近年来，随着AI、云计算、无人技术的发展，高性能计算半导体、车用半导体、AI半导体等需求逐渐呈现井喷态势，海力士高管已经明确表示将在今年年底量产400层NAND闪存，并于明年上半年投入大规模生产。

三星不甘示弱，也推出了下一代v10闪存芯片，不仅堆叠层数高达420至430层，量产时间也要早于海力士。然而，这种新芯片性能大幅增加的同时，也为其封装和生产效率带来了巨大的挑战。以韩国目前的技术，还达不到三星的既定量产目标，所以三星只能向外求。

长江存储这些年一直深耕存储芯片领域，早在2020年，就开始积极应用3D NAND混合键合技术，并积累了大量的相关专利技术，这种技术能够省去传统芯片连接所需的凸块，缩短电路，并提高存储性能和散热特性，完美适配三星下一代芯片，所以三星毫不犹豫地，就在当前美国带头围堵中国的情况下和长江存储签署了协议。

韩国的失败几天前就有了预兆，日前韩国科技评估与规划研究发布了一份调查报告，显示韩国绝大多数半导体技术已经被中国赶超，且现在的韩国虽然在制造工艺和量产方面领先中国，但在基础技术和设计领域已经落后。

从另一个层面看，长江存储关键技术专利的出海，是中方给美国的一记响亮的耳光。拜登政府末期，美国敦促荷兰、日本、德国和韩国联手围堵中国半导体。2月21日，美总统给特朗普还签署了一项备忘录，指示美国外国投资委员会限制中国在美国科技、能源及其他战略行业的投资，韩国三星的选择表明美国的芯片战略遭遇了失败，而中企和先进芯片企业的合作进一步表明，历史已经改写，全球半导体产业格局将由此发生转变。

最近，特朗普采取了针对中国的最广泛、最有力行动，预示着美国对华战略竞争已经从科技和贸易辐射到粮食、矿产、港口及航运等，这种竞争态势的全面拓展表明接下来中国有场硬仗要打，但长江存储和三星的牵手不仅为中企注入了信心，也为中美整体竞争树立了榜样，只要中国继续做好自己的事，所有困难都会迎刃而解，所有挑战也都不在话下。

（内容来源：驱动之家）