能效速度提升 美光，G9工艺UFS 4.1闪：存开始出货

美光宣布推出全球首款基于G9工艺节点的UFS 4.1、UFS 3.1闪存，新款闪存将提供内置AI功能，预计将在美光1y LPDDR5X芯片推出后不久应用于旗舰设备之中。

据美光透露，G9工艺的新存储芯片，具备更高的能效和读写速度。存储容量横跨256GB至1TB之间，适用于旗舰智能手机和折叠屏手机。

除了工艺上的改进之外，美光还承诺进行一些软件调整升级，并会通过AI功能来改善性能体验。新款的UFS 4.1闪存将支持分区UFS，提高了读写效率并减少了写入放大效应；数据碎片整理可将UFS设备内部的数据重新定位，碎片整理效率提高60%。缓冲区中的数据访问速度最高可提升30%。上述功能为UFS 4.1闪存所独有的，智能延迟跟踪器通过分析延迟日志自动进行调试则在新的UFS 3.1中也能实现。

当然，以上升级主要适用于新款闪存，单纯的UFS 4.1闪存，其实与原本的UFS 4.0差距不大，毕竟在最大传输速度上，两个标准是没有区别的。

UFS 4.1相比UFS 4.0，主要的区别在于效率，UFS 4.1可以由操作系统直接发起碎片整理，操作系统也能随时更改缓冲区的请求，不需要强制通过主控来实现，因此系统能更及时地进行性能优化。

另外，UFS 4.1是支持比较廉价的QLC颗粒的，因此更多的主流高性能定位机型，都可能会采用旗舰规格的闪存。

（内容来源：深圳商报）